[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路在审
| 申请号： | 201410363381.X | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104167439A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 | 申请（专利权）人： | 创世舫电子日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极。本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 晶体管 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一化合物半导体膜；层压膜，其中层叠有第二化合物半导体膜和绝缘膜；以及电极，包括第一部分和第二部分，所述第一部分嵌入在形成于所述层压膜上的凹陷中，所述第二部分在所述第一部分与所述绝缘膜这两者之上延伸，其中所述第一部分包括第一嵌入部分和第二嵌入部分，所述第一嵌入部分沿所述第二部分的延伸方向具有第一长度，所述第二嵌入部分被置于所述第一嵌入部分与所述凹陷的底部之间，且所述第二嵌入部分具有小于所述第一长度的第二长度。
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