[发明专利]用于RF能量获取的超低压自供电整流器电路有效
| 申请号： | 201410360864.4 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN104143929A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李娅妮;丁瑞雪;刘帘曦;杨银堂;朱樟明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于RF能量获取的超低压自供电整流器电路，其特征在于：包括全波整流器电路，全波整流电路包括自偏置桥式整流电路和偏置电路；所述自偏置桥式整流电路包括连接成自偏置形式的两个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管，两个NMOS晶体管的漏端短接在一起，同时接地端；两个PMOS晶体管的漏端短接在一起，作为桥式整流电路的输出端。本发明提供了一种用于RF能量获取的超低压自供电整流器电路，能够有效地将从外部空间获取的能量转换为可直接为电子设备供电的直流电压，完成AC/DC转换，同时最大化利用所获取的外界能量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 rf 能量 获取 低压 供电 整流器 电路 | ||
【主权项】：
一种用于RF能量获取的超低压自供电整流器电路，其特征在于：包括全波整流器电路和有源开关管电路，全波整流电路包括自偏置桥式整流电路和偏置电路；所述自偏置桥式整流电路包括连接成自偏置形式的两个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管，两个NMOS晶体管的漏端短接在一起，同时接地；两个PMOS晶体管的漏端短接在一起，作为桥式整流电路的输出端；所述偏置电路包括，一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管构成的超低压分压电路，PMOS晶体管和NMOS晶体管串联，公共端连接到所述桥式整流电路中的PMOS晶体管的衬底端，提供衬底偏置信号。
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