[发明专利]分离栅极式存储器、半导体器件及其制作方法

摘要

一种分离栅极式存储器、半导体器件及其制作方法。分离栅极式存储器额外设置一擦除栅，并将控制栅与擦除栅分别置于浮栅两侧，采用上述结构时，擦除操作不再由控制栅进行，而是由擦除栅进行，因而控制栅所需加的电压可以降低，如此可以减少沟道区的热电子效应，进而可以避免热电子效应引起的存储器件退化；此外，由于控制栅所需加的电压降低，因而控制栅下的栅氧化层可以变薄，控制栅及其下的栅氧化层的制作可以与外围电路区逻辑晶体管的栅极及其下的栅氧化层的制作工艺兼容，在电路设计上也更有利于与逻辑电路的兼容。

主权项

一种分离栅极式存储器，其特征在于，包括：形成有源区与漏区的半导体衬底；位于部分源区与部分沟道区上的第一栅氧化层，以及位于所述第一栅氧化层上的浮栅；位于另外部分沟道区与部分漏区上的第二栅氧化层，以及位于所述第二栅氧化层上的控制栅，所述第一栅氧化层以及浮栅的侧壁与所述第二栅氧化层以及控制栅的侧壁之间具有绝缘层；位于所述源区的绝缘氧化层，以及位于所述绝缘氧化层上的擦除栅；以及所述位于所述擦除栅与所述浮栅之间的遂穿绝缘层。