[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。

主权项

一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：包括基区和掺杂区的单晶半导体衬底，所述基区和所述掺杂区掺杂有第一掺杂剂并且被布置在所述单晶半导体衬底的后表面处；形成在所述单晶半导体衬底的所述后表面上的掺杂层，所述掺杂层具有第二掺杂剂，所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂不同的导电类型，并且所述掺杂层和所述掺杂区彼此分离以暴露所述基区的顶表面的一部分；介于所述掺杂层和所述单晶半导体衬底之间的隧道层；覆盖所述掺杂层、所述掺杂区、所述基区的所述顶表面的所述一部分和所述隧道层的绝缘层，并且所述绝缘层在所述掺杂层上具有接触孔；直接连接到所述掺杂区的第一电极；以及穿过所述绝缘层的所述接触孔并且直接连接到所述掺杂层的第二电极，其中，所述掺杂层包括微晶结构或多晶结构的半导体层，其中，所述隧道层包括氧化物，所述掺杂层包括具有多晶结构的半导体层，并且其中，所述第一电极包括多个第一部分和多个第二部分，所述第二部分将所述第一部分彼此连接并且所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度。