[发明专利]一种单多晶非易失存储器的存储单元在审
| 申请号： | 201410347126.6 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104112474A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 尚靖;李建成;李聪;李文晓;王震;王宏义;谷晓忱;郑黎明;李浩 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单多晶非易失存储器的存储单元，包括控制管、隧穿管、选择管和浮栅，控制管为一个面积较大的PMOS管，用于将控制管上的电压耦合到浮栅上去，控制管的N阱与源极相连接，其栅极与浮栅相连；隧穿管为没有漏区或者源区，且栅极多晶部分覆盖在氧化隔离槽上的PMOS管，隧穿管的N阱与源极相连，隧穿管的栅极与浮栅相连；选择管为与控制管串联的PMOS管，选择管的源极与控制管的漏极相连，选择管的N阱与控制管的N阱、源极相连，选择管的栅极用于选择信号输入。本发明的单多晶非易失存储器的存储单元完全兼容标准CMOS工艺，能够嵌入到标准CMOS集成电路中去。这样极大降低了技术开发周期与工程生产费用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 非易失 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管、选择管和浮栅，控制管为一个MOS电容是隧穿管MOS电容10～15倍的PMOS管，用于将控制管上的电压耦合到浮栅上去，控制管的N阱与源极相连接，其栅极与浮栅相连；隧穿管为没有漏区或者源区，且栅极多晶部分覆盖在氧化隔离槽上的PMOS管，隧穿管的N阱与源极相连，隧穿管的栅极与浮栅相连；选择管为与控制管串联的PMOS管，选择管的源极与控制管的漏极相连，选择管的N阱与控制管的N阱、源极相连，选择管的栅极用于选择信号输入。
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