[发明专利]光隔离器有效
| 申请号： | 201410332275.5 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104280901B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 矢作晃;渡边聪明;牧川新二 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种600nm～800nm波长范围用的小型化光隔离器，其适合于作为在医疗、光测量中使用的半导体激光器中的光隔离器。本发明是600nm～800nm波长范围用的光隔离器，其特征在于，该光隔离器具备法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的中空磁铁，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料构成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其中，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(2)的范围内。(TbxR1‑x)2O3 (I) 在上式(I)中，x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的集合中的至少一种以上的元素。0.6≦L≦1.1 (1)B≦0.5×104 (2)。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离器 | ||
【主权项】：
一种600nm～800nm波长范围用的光隔离器，该光隔离器由法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的将磁场极性作为光轴方向的一个中空磁铁构成，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的陶瓷组成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其特征在于，配置有法拉第转子的长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对所述法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(2)的范围内,(TbxR1‑x)2O3 (I)在上式(I)中，x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的群组中的至少一种以上的元素，0.65≦L≦1.1 (1)B<0.5×104 (2) 。
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