[发明专利]一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法：首先清洗衬底基片，再于衬底基片上制得铌酸锌铋诱导层，再于650℃-750℃进行退火处理；再于具有铌酸锌铋诱导层的衬底基片上沉积制备铌酸镁铋薄膜层，最后再于750℃退火处理，制得具有高调谐率铋基结构的铌酸镁铋薄膜。本发明较之现有技术其结晶性更好，取向性和调谐性能均有明显改善，调谐率由30％增至35％。

主权项

一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法，具体步骤如下：(1)清洗衬底基片选取表面附有电极的衬底基片，置于有机溶剂中超声清洗，再用去离子水冲洗后在氮气流中干燥；(2)沉积制备诱导层(a)将清洗干净的衬底基片放入磁控溅射真空室中，将铌酸锌铋靶材装置在相应的射频溅射靶上，启动抽真空程序；(b)待真空度抽至9×10^‑5Torr，打开铌酸锌铋靶材对应的射频电流源，通入工作气体氩气，完成射频磁控溅射，制得铌酸锌铋诱导层；溅射参数如下：溅射功率为200W，衬底基片加热温度为600℃，溅射气压为10mTorr，氩气与氧气的流量分别为：85sccm和15sccm。溅射时间为10‑15分钟；(c)铌酸锌铋诱导层溅射完成后，打开真空室，取出衬底基片，在退火炉中进行退火处理，退火温度为：650℃‑750℃，退火时间为20‑30分钟；(3)沉积制备功能薄膜层(a)将步骤(2)具有铌酸锌铋诱导层的衬底基片放入真空室中，取下铌酸锌铋靶材，将铌酸镁铋靶材放置在射频靶上，启动抽真空程序；(b)待真空度抽至9×10^‑5Torr，打开铌酸镁铋靶材对应的射频电流源，通入工作气体氩气和氧气，完成射频磁控溅射，制得铌酸镁铋薄膜层；溅射参数如下：溅射功率为150W，基片加热温度为600℃，溅射气压为10mTorr，氩气与氧气的流量分别为：85sccm和15sccm；溅射时间为1‑1.5小时；(c)铌酸镁铋薄膜层溅射完成后，打开真空室，取出衬底基片，在退火炉中进行退火处理，退火温度为750℃，退火时间为10‑20分钟，制得具有高调谐率铋基结构的铌酸镁铋薄膜。