[发明专利]一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法有效

专利信息
申请号: 201410326106.0 申请日: 2014-07-10
公开(公告)号: CN104054496A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 尹梅;陈检锋;陈华;王志远;付利波;苏帆;洪丽芳 申请(专利权)人: 云南省农业科学院农业环境资源研究所
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 昆明正原专利商标代理有限公司 53100 代理人: 金耀生
地址: 650205 *** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法,通过整地施肥、隔行种植桂花树,再在行间内种植醡浆草,并对醡浆草按一定方法进行刈割,将刈割的醡浆草覆盖在距离桂花树主干四周,然后进行苗圃施肥,按常规桂花树栽培方法进行灌排水、防治病虫害、修剪,即完成桂花苗圃的面源污染防控栽培。本发明是在桂花苗圃中套种醡浆草的立体栽培方法,能有效地改变桂花苗圃中土壤结构,减少N、P及水土流失,促进土壤有机质及养分含量的增加,加速培育苗圃土壤碳库,增加苗圃生态多样性,减少对环境污染,改善苗圃的生态环境,易操作。
搜索关键词: 一种 桂花 苗圃 污染 栽培 方法
【主权项】:
一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法,其特征在于经过下列各步骤:(1)整地施肥:于第一年7~8月,先清除杂草后深翻晒垡,熟化土壤,再于次年2月,在每隔2m的行距上开深沟,在深沟内从下至上依次铺设秸杆草层、土层、有机肥层、覆土层;(2)桂花树栽种:在步骤(1)的深沟上间隔一行进行挖坑,同一条深沟上所挖坑的坑间距离为2m,于同年3月在坑内栽种独杆桂花树实生苗,此后按常规桂花树栽培方法进行施肥、灌排水、防治病虫害、修剪;(3)醡浆草栽种:在步骤(2)的独杆桂花树实生苗的行间深沟内按0.4~0.6kg/亩进行撒播醡浆草种子;(4)醡浆草的栽培:对步骤(3)播种的醡浆草种子在幼苗期进行1~2次人工除杂草,待醡浆草植株长至高0.02m以上时进行刈割,每隔30~45天刈割1次,待醡浆草种子播种一年后,按每年3~4次进行刈割;(5)覆盖管理:将步骤(4)刈割的醡浆草覆盖在距离桂花树主干20~30cm的四周;(6)苗圃施肥:于每年3月下旬对每株桂花树施氮肥0.1~0.3kg,于每年7月对每株桂花树施磷肥和钾肥0.1~0.3kg,于每年10月对每株桂花树施底肥2~3kg;其中,施底肥时,每年变换施肥部位,把覆盖的醡浆草耙开,每次在桂花树的东西两侧或南北两侧沿树冠滴水线位置开设深为30~40cm、宽为20~30cm、长为80~100cm的沟,将底肥施入沟中,回填土壤后,把原先覆盖的醡浆草覆盖在其土壤上,即完成桂花苗圃的面源污染防控栽培。
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