[发明专利]半导体装置

摘要

本实施方式的半导体装置依次具备第一电极(13)、第1导电型的第一半导体层(1)、第1导电型的第二半导体层(2)、第2导电型的第三半导体层(3)、第1导电型的第四半导体层(4)。元件区域在第一沟槽(5)的内部具备栅电极(8)。环状结构的第二沟槽(6)贯穿所述第四半导体层(4)和所述第三半导体层(3)而到达所述第二半导体层(2)，形成在内侧具有元件区域的第一区域和在外侧包围所述第一区域的第二区域。第一开口部(14)设置在相邻的所述第一沟槽(5)间。宽度比第一开口部(14)宽的第二开口部(15)设置在元件区域的外侧的第一区域。第二电极(17)经由第一开口部(14)和第二开口部(15)与第三半导体层(3)和第四半导体层(4)电连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于：具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，设置在所述第一电极的上方；第二导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层上；第一导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层上，所述第三半导体层的第一导电型杂质浓度高于所述第一半导体层；栅极电极，隔着绝缘膜沿着第一方向设置于所述第三半导体层；第二电极，与所述第二半导体层及所述第三半导体层电连接；以及多个接触区域，在比被终端区域包围的元件区域靠所述终端区域侧，将所述第二电极和所述第二半导体层电连接，所述多个接触区域在所述第一方向上相互分离地设置；所述多个接触区域的每个接触区域具有：第一部分，在第二方向上的长度为第一值，所述第二方向为与所述第一方向正交且从所述元件区域朝向所述终端区域的方向；以及第二部分，在所述第一方向上与所述第一部分邻接地设置，所述第二方向上的长度是小于所述第一值的第二值，所述第一部分的所述第二方向上的端部位于比所述第二部分的所述第二方向上的端部靠所述第二方向侧，所述多个接触区域是在所述元件区域的所述第二方向侧设置的接触区域。