[发明专利]一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构

摘要

一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极，在源区和多晶硅栅极之间及漏区和多晶硅栅极之间都设有轻掺杂漏区，在源区与P型接触区之间设有N型区，在P型接触区与N型区之间及N型区与源区外侧之间均设有场氧化层且场氧化层位于P型半导体衬底的表面，在P型接触区、源区、轻掺杂漏区、漏区、场氧化层及多晶硅栅极上方设有氧化层，P型半导体衬底由衬底电极引出，源区由金属源电极引出，漏区和N型区均由金属漏电极引出。该结构可以在更小的面积开销下达到更强的静电释放能力。

主权项

一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括：P型半导体衬底（2），在P型半导体衬底（2）上设有P型接触区（1）、N型源区（4）及N型漏区（6），所述N型源区（4）及N型漏区（6）位于P型接触区（1）内且所述N型源区（4）和N型漏区（6）以叉指结构交替分布在P型半导体衬底（2）的表面，在N型源区（4）和N型漏区（6）之间区域的正上方设有多晶硅栅极（11），在所述N型源区（4）和多晶硅栅极（11）之间及N型漏区（6）和多晶硅栅极（11）之间都设置有轻掺杂漏区（5），其特征在于，在N型源区（4）与P型接触区（1）之间设有N型区（3），在P型接触区（1）与N型区（3）之间以及在N型区（3）与N型源区（4）外侧之间分别设有场氧化层（8）且场氧化层（8）位于P型半导体衬底（2）的表面，在P型接触区（1）、N型源区（4）、轻掺杂漏区（5）、N型漏区（6）场氧化层（8）及多晶硅栅极（11）上方设有氧化层（12），P型半导体衬底（2）由金属衬底电极（7）引出，N型源区（4）由金属源区电极（10）引出，N型漏区（6）和N型区（3）均由金属漏电极（9）引出。