[发明专利]用于互连层结构的掩膜组件及互连层的制作方法有效
| 申请号： | 201410298612.3 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105226049B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种用于形成互连层结构的掩膜组件及互连层的制作方法。其中，该掩膜组件位于介质层上，且包括依次设置于介质层之上的氧化物掩膜层、非晶碳层和金属硬掩膜层。该制作方法包括：在衬底上依次形成介质层和掩膜组件，掩膜组件包括依次设置于介质层上的氧化物掩膜层、非晶碳层和金属硬掩膜层；刻蚀掩膜组件以形成开口；刻蚀开口暴露出的介质层，在介质层中形成通孔；以及在通孔中填充金属材料形成金属层。采用该掩膜组件制作形成的互连成中金属层与介质层的结合强度得以提高，进而提高了互连层的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 结构 组件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连层的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：在衬底上依次形成介质层和掩膜组件，所述掩膜组件包括依次设置于所述介质层上的氧化物掩膜层、非晶碳层和金属硬掩膜层；刻蚀所述掩膜组件以形成开口；刻蚀所述开口暴露出的所述介质层，在所述介质层中形成通孔；以及在所述通孔中填充金属材料形成金属层，形成所述开口的方法包括：依次刻蚀所述金属硬掩膜层、所述非晶碳层以及所述氧化物掩膜层，形成预开口；进一步刻蚀所述预开口侧壁上的部分所述非晶碳层和部分所述氧化物掩膜层，使所述预开口底部宽度增加；回蚀所述金属硬掩膜层和所述非晶碳层，以形成侧壁与所述介质层的表面垂直的所述开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410298612.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
