[发明专利]一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法无效
| 申请号： | 201410296521.6 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104064627A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;王健波;余宏萍;张鹏;吴志明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法（ICP-RIE）对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底表面上形成黑硅层；在黑硅层表面沉积钝化层。本发明的实施例的方法中，采用的是P型重掺杂硅衬底，并且选用ICP-RIE对硅表面进行刻蚀，由于ICP刻蚀选择比高，均匀性好，刻蚀的垂直度和光洁度较高，因此可以获得更好的截面形貌且污染较少。刻蚀之后获得的黑硅材料再通过原子层沉积(ALD)在黑硅层表面沉积一层Al2O3钝化层，可以降低反射，减少表面电荷复合率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 波段 吸收 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，其特征在于，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体‑反应离子刻蚀法对所述硅衬底进行刻蚀，在所述硅衬底表面上形成黑硅层；在所述黑硅层表面沉积钝化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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