[发明专利]一种高等级DDR供电电路

摘要

一种高等级DDR供电电路，通过在高等级LDO电源转换芯片地管脚与电路板地平面间添加并联电阻，抬高高等级LDO电源转换芯片地管脚相对于电路板地平面的参考电平，从而将高等级LDO电源转换芯片输出电平抬高为所需电平，高等级LDO电源转换芯片输出电平通过两对磁珠隔离为DDR_VTT和DDR_VREF输出给下级电路。该发明方法应用于工业级以上高等级(军级、宇航级)DDR的VREF、VTT电源供配电设计，通过该发明方法，可以使用通用高等级LDO电源转换芯片完成基于高等级DDR的硬件电路设计，解决了因为缺少高等级专用DDR供电电源芯片从而无法完成高等级DDR的VREF、VTT供配电设计的问题。

主权项

一种高等级DDR供电电路，其特征在于包括：LDO电源转换芯片、电阻R1、电阻R2、磁珠B1、磁珠B2、磁珠B3和磁珠B4；LDO电源转换芯片输入为+2.5V的DDR数据总线I/O接口电源VDDQ，LDO电源转换芯片将输入的+2.5V电平转化为+1.2V电平后输出；LDO电源转换芯片地管脚输出地电流I_GND，I_GND通过并联电阻R1和R2流入电路板地平面，并联电阻R1和电阻R2将LDO电源转换芯片的地管脚参考电平抬高；磁珠B1和磁珠B2为一组且并联，磁珠B3和磁珠B4为一组且并联，磁珠B1和磁珠B2组成的并联结构与磁珠B3和磁珠B4组成的并联结构相互独立，磁珠B1和磁珠B2组成的并联结构将LDO电源转换芯片输出隔离为DDRVREF参考电平，磁珠B3和磁珠B4组成的并联结构将LDO电源转换芯片输出隔离为DDR VTT终结电平，磁珠B1和磁珠B2封装相同，磁珠B3和磁珠B4封装相同。