[发明专利]触壁下沉通道式隧道中隔墙及其建造方法有效

专利信息
申请号: 201410285266.5 申请日: 2014-06-24
公开(公告)号: CN104061000A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 陈智慧;任兆丹;陈雪锋;张双茁;何伟奇;陈俊伟;李元昌 申请(专利权)人: 中铁第四勘察设计院集团有限公司
主分类号: E21D9/14 分类号: E21D9/14;E21F16/02
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 430063 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种触壁下沉通道式隧道中隔墙,包括中导洞、中隔墙主体、上部通道、下部通道、左侧通道、右侧通道以及后浇封顶结构;所述中导洞位于两个正洞隧道之间,所述中隔墙主体的底部以面触壁的方式与所述中导洞的下部岩体接触,所述中隔墙主体的上部呈犄角状,并支撑于所述中导洞的顶部;所述上部通道位于所述中隔墙主体中部的上端,所述下部通道位于所述中隔墙主体中部的下端;所述后浇封顶结构设于所述中隔墙主体的顶端,且位于所述上部通道上方。本发明涉及建造触壁下沉通道式隧道中隔墙的方法。所述触壁下沉通道式隧道中隔墙通过上述结构,使其具有省投资、利排水、易施工、难变形、少病害、可通风的特点。
搜索关键词: 下沉 通道 隧道 隔墙 及其 建造 方法
【主权项】:
一种触壁下沉通道式隧道中隔墙,其特征在于,包括中导洞、中隔墙主体、上部通道、下部通道、左侧通道、右侧通道以及后浇封顶结构;所述中导洞位于两个正洞隧道之间,且其高度低于所述正洞隧道,所述中隔墙主体的底部以面触壁的方式与所述中导洞的下部岩体接触,所述中隔墙主体的上部呈犄角状,并支撑于所述中导洞的顶部;所述上部通道位于所述中隔墙主体中部的上端,所述下部通道位于所述中隔墙主体中部的下端,所述左侧通道位于所述中隔墙主体的左侧,所述右侧通道位于所述所述中隔墙主体的右侧,所述上部通道、所述下部通道、所述左侧通道以及所述右侧通道与所述正洞隧道的贯通方向一致;所述后浇封顶结构设于所述中隔墙主体的顶端,且位于所述上部通道上方。
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