[发明专利]使用自对准接触插塞来制造半导体器件的方法和半导体器件

摘要

在形成在从主表面延伸到半导体衬底中的前驱体结构之间的半导体台面结构之上，选择性地生长半导体氧化物柱。使用至少一种辅助材料填充在半导体氧化物柱之间的空间，以在前驱体结构的垂直投影中形成对准插塞。相对于对准塞，选择性地除去半导体氧化物柱插塞被。沿着对准插塞的侧壁设置接触间隔体。在接触间隔体中的相对的接触间隔体之间，插塞设置直接邻接半导体台面结构的接触塞。在不在半导体台面结构上刻槽的情况下，接触插塞自对准于半导体台面结构，并且允许半导体台面结构的横向尺寸进一步减小。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在形成于从主表面延伸到半导体衬底中的前驱体结构之间的半导体台面结构上，选择性地生长半导体氧化物柱；使用至少一种辅助材料填充在所述半导体氧化物柱之间的空间，以在所述前驱体结构的垂直投影中形成对准插塞；相对于所述对准插塞，选择性地除去所述半导体氧化物柱；沿着所述对准插塞的侧壁设置接触间隔体；以及在所述接触间隔体中的相对的接触间隔体之间，设置直接邻接所述半导体台面结构的接触插塞，其中，所述辅助材料是相对其半导体氧化物能够被高选择性地除去的任何材料，并且所述前驱体结构是空的沟槽、加衬有侧壁结构的沟槽、部分填充的沟槽、或完全填充的沟槽。