[发明专利]混合晶圆级真空封装方法及结构有效
| 申请号： | 201410270430.5 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105304505B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冯飞;张云胜;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一衬底片，于所述衬底片中形成芯片封装腔；b）于所述衬底片的芯片封装腔中制作吸气剂薄膜；c）提供一包括基底及器件区域的已通过测试的待封装芯片；d）提供一真空设备，将所述待封装芯片及芯片封装腔对准后，进行抽真空、激活吸气剂及加热加压，通过键合结构键合所述衬底片及所述待封装芯片。本发明只对已通过测试的待封装芯片进行真空封装，降低了封装成本；直接在如红外滤波片的衬底片上制作芯片封装腔，将如红外探测器芯片等待封装芯片置于芯片封装腔上完成真空封装，提高了封装效率，减少了封装体积。 | ||
| 搜索关键词： | 封装芯片 封装腔 真空封装 衬底片 芯片 晶圆级 吸气剂 封装 红外探测器芯片 测试 红外滤波片 封装效率 加热加压 键合结构 器件区域 真空设备 抽真空 衬底 基底 键合 薄膜 制作 对准 激活 | ||
【主权项】：
1.一种混合晶圆级真空封装方法，其特征在于，包括以下步骤：a)提供一衬底片，于所述衬底片中形成芯片封装腔；b)于所述衬底片的芯片封装腔中制作吸气剂薄膜；c)提供一包括基底及器件区域的已通过测试的待封装芯片，于所述待封装芯片的基底中形成用于待封装芯片引线的通孔结构，并于所述通孔结构中形成金属柱；d)提供一真空设备，将所述待封装芯片及芯片封装腔对准后，进行抽真空、激活吸气剂及加热加压，通过键合结构键合所述衬底片及所述待封装芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
