[发明专利]MOS电容的制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS电容的制造方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：在硅晶圆片的上表面形成氧化层；在氧化层的上表形成金属引出电极的窗口；在金属引出电极的窗口处形成倒梯形的光刻胶形貌；蒸发一层金属铂；去除光刻胶的同时也将光刻胶上的金属铂一起去除；进行合金处理，使金属铂与硅形成良好的欧姆接触；在金属电极以外的区域形成光刻胶；上表面蒸发多层金属；剥离去除金属上电极和金属引出电极以外的步骤中蒸发的金属，形成MOS电容。所述方法简化了工艺流程，使用安全、环保。

主权项

一种MOS电容的制造方法，其特征在于包括以下步骤：1）在硅晶圆片（1）的上表面形成氧化层（2）；2）采用光刻的方法，利用光刻胶在氧化层（2）的上表形成金属引出电极的窗口；3）通过光刻的方法在金属引出电极的窗口处形成倒梯形的光刻胶形貌；4）在经过步骤3）处理后的硅晶圆片的表面蒸发一层金属铂（5）；5）将蒸发金属铂（5）后的硅晶圆片放入剥离液中浸泡，去除光刻胶的同时也将光刻胶上的金属铂（5）一起去除，而无光刻胶处的金属铂（5）则与硅晶圆片粘附良好；6）将上述步骤5）处理后的硅晶圆片放入到充有保护气体的合金炉内进行合金处理，使金属铂与硅形成良好的欧姆接触；7）将铂硅合金后的硅晶圆片进行光刻处理，在金属电极以外的区域形成光刻胶；8）在经过步骤7）处理后的硅晶圆片的上表面蒸发多层金属（8）；9）剥离去除金属上电极和金属引出电极以外的步骤8）中蒸发的金属，形成MOS电容。