[发明专利]化学气相沉积法制备石墨烯无效
| 申请号： | 201410256565.6 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104030277A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 金闯;杨晓明 | 申请（专利权）人： | 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积法制备石墨烯，其中，包括：步骤1.净化铜合金基底；步骤2.放置铜合金在化学气相沉积设备内；步骤3.去除铜合金表面的氧化膜；步骤4.制备石墨烯：保持CVD设备内的压强为0.1～90Torr，铜合金基底的温度为800～980℃，之后通入氢气和甲烷气体，氢气和甲烷气体的流量比为1∶1～1∶10，持续通气50～70min；步骤5.得到石墨烯产品；步骤6.净化石墨烯产品，获得石墨烯。本案提供的制备方法制备工艺简单，成本低，适宜规模化生产，能够生产出高透光率、高质量大面积并且纯度很高的石墨烯产品。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 法制 石墨 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积法制备石墨烯，其特征在于，包括，步骤1、将铜合金依次在盐酸溶液、丙酮和乙醇溶液中各超声清洗10min，在氮气环境下烘干；步骤2、将铜合金平行地放置在化学气相沉积(CVD)设备内，并将CVD设备抽真空至1mTorr以内；步骤3、将铜合金在40～55min内升至800～980℃，之后从CVD设备底部入口通入1～900sccm流量的氢气，保持CVD设备内的压强为0.1～90Torr，去除铜合金表面上的氧化膜；步骤4、保持CVD设备内的压强为0.1～90Torr，铜合金基底的温度为800～980℃，之后通入氢气和甲烷气体，氢气和甲烷气体的流量比为1∶1～1∶10，持续通气50～70min；步骤5、保持CVD设备内的压强为0.1～90Torr时，铜合金基底的温度在200～380min内降温至450～500℃，并且通入氢气和氦气，氢气和氦气的流量比为1∶1～1∶10，在40～100min之后，停止通入氢气，继续通入氦气的流量为100～650sccm；步骤6、将CVD设备中铜合金基底降温至室温，取出铜合金和样品，再采用机械玻璃方法将石墨烯产品实现无破坏转移。
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