[发明专利]具有管芯和穿衬底过孔的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410255113.6 申请日: 2014-03-14
公开(公告)号: CN104183597B 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: X·应;A·V·萨莫伊洛夫;P·麦克纳利;T·帕伦特 申请(专利权)人: 马克西姆综合产品公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L23/52
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及具有管芯和穿衬底过孔的半导体器件。描述的半导体器件具有形成在其中的穿衬底过孔。在一个或多个实施方式中,半导体器件包括用粘结材料接合在一起的半导体晶片和集成电路管芯。半导体晶片和集成电路管芯包括形成在其中的一个或多个集成电路。集成电路连接到配置在半导体晶片和集成电路管芯的表面上的一个或多个导电层。形成穿过半导体晶片和构图的粘结材料的过孔以使得电互连可以形成在该半导体晶片中的集成电路和集成电路管芯中的集成电路之间。该过孔包括导电材料以在该半导体晶片和该集成电路管芯之间提供电互连。
搜索关键词: 具有 管芯 衬底 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:具有第一表面和第二表面的经加工的半导体晶片,其中所述经加工的半导体晶片包括设置在所述第一表面之上的导电层;集成电路管芯,其通过粘结材料耦接到所述经加工的半导体晶片的所述第二表面,其中所述集成电路管芯包括导电焊盘;过孔,其贯穿所述经加工的半导体晶片的所述第一表面直至所述经加工的半导体晶片的所述第二表面而形成,其中所述过孔包括导电材料,所述导电材料被配置为将所述集成电路管芯的所述导电焊盘电耦接到所述经加工的半导体晶片。
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