[发明专利]用于倒装芯片器件的开封方法

摘要

本发明公开了一种用于倒装芯片器件的开封方法，包括采用立体显微镜对待开封器件进行观察，测量其外观尺寸、封装厚度，观察其封装形式、封装材料；选择扫描声学显微镜、微焦点X射线检测仪、CT检测仪其中的一种或多种对待开封器件进行观察并记录；针对器件类型，根据上述检查结果，确定器件的开封方案；采用镶嵌磨抛或外壳启封对待开封器件进行开封前预处理；采用掩膜刻蚀法、化学腐蚀法、剖面镜检法其中的一种或多种完成待开封器件的化学开封；对开封后器件的内部工艺参数进行检查评价分析。本发明提出的用于倒装芯片器件的开封方法，相比较传统的采用芯片倒装工艺器件的开封方法，大大提升了开封质量，保障了开封后硅片的完成性和电特性。

主权项

一种用于倒装芯片器件的开封方法，其特征在于，包括：采用立体显微镜，在7.1～115倍目镜下对待开封器件进行观察，测量其外观尺寸、封装厚度，观察其封装形式、封装材料；选择扫描声学显微镜、微焦点X射线检测仪、CT检测仪其中的一种或多种对待开封器件的内部结构、芯片位置、芯片尺寸、内部键合丝排布进行观察并记录相关数据，为后期的开封试验提供支持；针对器件类型，根据上述检查结果，确定器件的开封方案；采用镶嵌磨抛或外壳启封对待开封器件进行开封前预处理；所述外壳启封具体包括：将待开封器件用台钳固定，使其不能晃动，用手术刀对准盖板与印制板之间的缝隙，轻敲手术刀背，直至刀刃切入缝隙5～8mm，依照此方法对器件的四周进行切入；完成切入步骤后，从器件盖板的尖角处将盖板掀起；采用掩膜刻蚀法或剖面镜检法完成待开封器件的化学开封；采用低放大倍数内部检查法、高放大倍数内部检查法、扫描电子显微镜检查法及能谱分析法，对开封后器件的内部芯片、印制板、焊点进行检查评价分析；其中，所述掩膜刻蚀法，具体包括：利用刻蚀开封机采用发烟硝酸作为蚀刻剂，在85℃下，采用涡流式蚀刻；若无法成功刻蚀，则采用浓硫酸作为蚀刻剂，在250℃下，采用涡流式蚀刻；根据芯片大小，选择适当的掩膜，掩膜的通孔尺寸要与芯片尺寸一致，将掩膜放置在喷酸口处，器件芯片方向向下，放置于掩膜上方，通孔对准芯片位置；根据器件外包封材料的厚度、材料设置刻蚀时间；开封完成后，将开封后的器件放入盛有有机清洗剂的烧杯中，将烧杯置于超声清洗机中，对器件进行清洗，清洗干净后风干；所述剖面镜检法，具体包括：包括：在排风柜内，将待测器件平放在制样模具中，镶嵌液与镶嵌粉按照5：2的体积比进行调配，调配好后，进行灌制；灌制完成后，将试样置于平稳处，直至其凝固；试样凝固后，将试样从模具中取出，磨抛机开启，采用由粗到细砂纸，设置合适转速，对器件的印制板进行逐层磨抛；每磨削掉一层印制板，用显微镜进行观察并拍照记录，完成后磨抛下一层；当磨抛完最后一层印制板，暴露出硅片上键合焊点后，停止磨抛，用200℃浓硫酸对硅芯片位置进行冲洗，直至硅芯片完全暴露；开封完成后，将开封后的器件放入盛有有机清洗剂的烧杯中，将烧杯置于超声清洗机中，对器件进行清洗，清洗干净后风干。