[发明专利]薄膜晶体管及像素结构

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及像素结构。薄膜晶体管配置于基板上。薄膜晶体管包括栅极、绝缘层、金属氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源极、漏极、有机绝缘层以及金属氧化物阻障层。绝缘层覆盖栅极。金属氧化物半导体层位于栅极上方的绝缘层上。蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层，且蚀刻阻挡层具有第一接触窗以及第二接触窗。源极以及漏极分别相对设置于蚀刻阻挡层上。源极以及漏极分别通过第一接触窗及第二接触窗与金属氧化物半导体层电连接。有机绝缘层覆盖蚀刻阻挡层、源极以及漏极。金属氧化物阻障层覆盖有机绝缘层。

主权项

一种薄膜晶体管，配置于一基板上，该薄膜晶体管包括：栅极；绝缘层，覆盖该栅极；金属氧化物半导体层，位于该栅极上方的该绝缘层上；蚀刻阻挡层，覆盖该金属氧化物半导体层，且该蚀刻阻挡层具有第一接触窗以及第二接触窗；源极以及漏极，分别相对设置于该蚀刻阻挡层上，其中该源极通过该第一接触窗与该金属氧化物半导体层电连接，且该漏极通过该第二接触窗与该金属氧化物半导体层电连接；有机绝缘层，具有氧原子，该有机绝缘层覆盖该蚀刻阻挡层、该源极以及该漏极；以及金属氧化物阻障层，覆盖该有机绝缘层。