[发明专利]热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410244905.3 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104212374A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;三隅贞仁;大西谦司;菅生悠树;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J11/04;C09J163/00;C09J161/06;C09J133/00;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供导热性高的热固型芯片接合薄膜、使用了热固型芯片接合薄膜的带切割片的芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种热固型芯片接合薄膜，其包含导热性颗粒，上述导热性颗粒利用硅烷偶联剂进行了表面处理，上述导热性颗粒的含量相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上，所述热固型芯片接合薄膜在热固化后的导热系数为1W/m·K以上。 | ||
| 搜索关键词： | 热固型 芯片 接合 薄膜 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种热固型芯片接合薄膜，其包含导热性颗粒，所述导热性颗粒利用硅烷偶联剂进行了表面处理，所述导热性颗粒的含量相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上，所述热固型芯片接合薄膜在热固化后的导热系数为1W/m·K以上。
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