[发明专利]异质结结构及其制备方法、异质结场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410244398.3 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104009077A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 张乃千 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 路凯;邓猛烈 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结结构及其制备方法、异质结场效应管及其制备方法，其中，所述异质结结构包括：缓冲层，所述缓冲层的材料为半绝缘的半导体材料，位于缓冲层上的沟道层，所述沟道层的材料为非故意掺杂的半导体材料，所述沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，其中，所述第一沟道层位于缓冲层上，位于第一沟道层和第二沟道层之间的插入层，其中，所述插入层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，位于第二沟道层上的势垒层，所述势垒层和所述第二沟道层的界面之间存在二维电子气。本发明克服了异质结结构和异质结场效应管的电流崩塌和漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 结构 及其 制备 方法 场效应 | ||
【主权项】：
一种异质结结构，其特征在于，所述异质结结构包括：缓冲层，所述缓冲层的材料为半绝缘的半导体材料；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层的材料为非故意掺杂的半导体材料，所述沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，其中，所述第一沟道层位于所述缓冲层上；位于所述第一沟道层和所述第二沟道层之间的插入层，其中，所述插入层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度；位于所述第二沟道层上的势垒层，所述势垒层和所述第二沟道层的界面之间存在二维电子气。
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