[发明专利]一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201410242634.8 申请日: 2014-06-03
公开(公告)号: CN104064619B 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 李孝峰;曹国洋;尚爱雪;李珂;张程 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L31/076 分类号: H01L31/076;H01L31/0352;H01L31/0368;H01L31/0376
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人: 伊美年
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池,包括内核、外壳和导电电极,其特征在于:内核包括p型微晶硅纳米线型核,和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n+型微晶硅层,外壳包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层外的重掺杂p+型非晶硅层,非晶硅本征层和n型非晶硅层,重掺杂n+型微晶硅层和重掺杂p+型非晶硅层之间形成隧穿结,而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构,实现了对更宽太阳能波段(300~1100nm)更加充分地吸收,从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 微晶硅非晶硅 径向 纳米 太阳能电池
【主权项】:
一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池,包括内核、外壳和导电电极,其特征在于:所述内核包括p型微晶硅纳米线型核(1),和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核(1)外的微晶硅本征层(2)和重掺杂n+型微晶硅层(3),所述外壳则包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层(3)外的重掺杂p+型非晶硅层(4),非晶硅本征层(5)和n型非晶硅层(6),所述重掺杂n+型微晶硅层(3)和重掺杂p+型非晶硅层(4)之间形成隧穿结,而在n型非晶硅层(6)和p型微晶硅纳米线型核(1)的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410242634.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top