[发明专利]背照式低串扰图像传感器像素结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种背照式低串扰图像传感器像素结构及其制作方法，包括硅基底，硅基底中设有多个感光器件，相邻的感光器件之间及边部的感光器件的外侧分别设有防串扰层。防串扰层的深度为2um到4um，防串扰层的位置位于从所述硅基底的正表面至距离所述硅基底的背表面0.05um～0.2um处。防串扰层的材料的折射率小于硅材料的折射率。当入射光进入感光器件中，部分角度的入射光会在防串扰层表面发生全反射，有效的避免了入射光进入相邻的感光器件而发生串扰不仅遏制了相邻感光器件间的串扰，并且提高了入射光的吸收效率，进而提高了感光灵敏度。

主权项

一种背照式低串扰图像传感器像素结构，包括硅基底，所述硅基底中设有多个感光器件，其特征在于，相邻的感光器件之间及边部的感光器件的外侧分别设有防串扰层。