[发明专利]紧凑电平位移器有效
申请号: | 201410233883.0 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN104218940B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | P.卢 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 李芳华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施方案提供用于将输入信号电平位移的装置。该装置包括输出缓冲器,其具有:输出节点、耦合到高参考电压的p‑FET和耦合到低参考电压的n‑FET。该装置也包括两个锁存器。第一锁存器具有经逆变电路元件驱动p‑FET栅极的第一锁存器输出。第二锁存器具有经非逆变电路元件驱动n‑FET栅极的第二锁存器输出。该装置也包括复位信号脉冲发生器,其接收输入信号并响应于输入信号的跃迁生成复位信号脉冲。锁存器都由复位信号脉冲置于复位态。 | ||
搜索关键词: | 紧凑 电平 位移 | ||
【主权项】:
1.一种用于将输入信号电平位移的装置,包括:输出缓冲器,所述输出缓冲器具有输出节点、耦合到高参考电压的p型场效应晶体管和耦合到低参考电压的n型场效应晶体管;第一锁存器,所述第一锁存器具有第一锁存器输出,所述第一锁存器输出经逆变电路元件驱动所述p型场效应晶体管的栅极;第二锁存器,所述第二锁存器具有第二锁存器输出,所述第二锁存器输出经非逆变电路元件驱动所述n型场效应晶体管的栅极;以及复位信号脉冲发生器,所述复位信号脉冲发生器接收所述输入信号并响应于以下生成复位信号脉冲:(1)从高输入电压到低输入电压的所述输入信号的跃迁,以及(2)从所述低输入电压到所述高输入电压的所述输入信号的跃迁;其中所述第一和第二锁存器都由所述复位信号脉冲置于复位态。
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