[发明专利]高功率光电倍增装置在审
申请号: | 201410229393.3 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN104051217A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 储冬红;郭楚媛;郭睦庚;严方园;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 成都中远千叶科技有限公司 |
主分类号: | H01J43/04 | 分类号: | H01J43/04;H01J43/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610100 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 高功率光电倍增装置,其特征在于,主要包括:入射光源,光阴极,一次电子发射极,二次电子发射极,三次电子发射极,四次电子发射极,光电流输出装置,接地保护装置,电流一次衰减装置,电流二次衰减装置,电流三次衰减装置,电流四次衰减装置,其中,一次电子发射极采用锑化铯镍合金电极材料,二次电子发射极采用氧化镧合金电极材料,三次电子发射极和四次电子发射极采用氧化钴铜铍合金电极材料,光电流输出装置含有厚度为2.98um的光束滤光膜,该滤光膜材料为十六偏铬酸碘铕纳米复合滤光膜。 | ||
搜索关键词: | 功率 光电 倍增 装置 | ||
【主权项】:
1.高功率光电倍增装置,其特征在于,主要包括:入射光源(1),光阴极(2),一次电子发射极(3),二次电子发射极(4),三次电子发射极(5),四次电子发射极(6),光电流输出装置(7),接地保护装置(8),电流一次衰减装置(9),电流二次衰减装置(10),电流三次衰减装置(11),电流四次衰减装置(12),其中,一次电子发射极(3)采用锑化铯镍合金电极材料,二次电子发射极(4)采用氧化镧合金电极材料,三次电子发射极(5)和四次电子发射极(6)采用氧化钴铜铍合金电极料,光电流输出装置(7)含有厚度为2.98um的光束滤光膜,该滤光膜材料为十六偏铬酸碘铕纳米复合滤光膜。
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