[发明专利]光掩模用基板组和光掩模组及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201410219079.7 | 申请日: | 2012-04-12 |
公开(公告)号: | CN103955111B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 土屋雅誉;池边寿美 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/76;G03F7/20;G02B5/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供光掩模用基板组和光掩模组及显示装置的制造方法。光掩模用基板组具有第1光掩模用基板,其用于在主表面上形成待转印至被转印体的转印用图案而成为第1光掩模;以及第2光掩模用基板,其用于在主表面上形成待与所述转印用图案重叠地转印至所述被转印体的转印用图案而成为第2光掩模,其中,当设所述第1光掩模用基板的主表面上的图案区域内设定的任意的点M相对于基准面的高度为Zm,设所述第2光掩模用基板的主表面上的图案区域内的处于与所述第1光掩模用基板上的点M对应的位置处的点N相对于所述基准面的高度为Zn,并求出了所述Zm与所述Zn之差Zd时,在所述图案区域内,该Zd的最大值ΔZdmax为17μm以下。 | ||
搜索关键词: | 光掩模用基板组 模组 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光掩模用基板组,其具有:第1光掩模用基板,其用于在主表面上形成待转印至被转印体的转印用图案而成为第1光掩模;以及第2光掩模用基板,其用于在主表面上形成待与所述转印用图案重叠地转印至所述被转印体的转印用图案而成为第2光掩模,该光掩模用基板组的特征在于,当设所述第1光掩模用基板的主表面上的图案区域内设定的任意的点M相对于基准面的高度为Zm,设所述第2光掩模用基板的主表面上的图案区域内的处于与所述第1光掩模用基板上的点M对应的位置处的点N相对于所述基准面的高度为Zn,并求出了所述Zm与所述Zn之差Zd时,在所述图案区域内,该Zd的最大值ΔZdmax为17μm以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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