[发明专利]具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法，异质结太阳能电池包括N型晶体硅衬底、正面本征非晶硅层、轻掺杂P型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面银栅极、重掺杂P型非晶硅层、背面本征非晶硅层、重掺杂N型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面银栅极，N型晶体硅衬底具有一正面和一背面；其中，重掺杂P型非晶硅层，作为选择性发射极，设置于正面透明导电膜层和轻掺杂P型非晶硅层的接触部位，其具有多个重掺杂P型非晶硅单体，并且分别与正面银栅极的栅线一一对应，分别位于相对应的栅线的正下方；重掺杂N型非晶硅层沉积在背面本征非晶硅层的下表面上。本发明能够降低载流子的复合，降低发射极对载流子的吸收，从而提高开路电压和短路电流，进而提高异质结电池的效率。

主权项

一种具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于，它包括：一N型晶体硅衬底(1)，其具有一正面和一背面；一正面本征非晶硅层(2)，沉积在N型晶体硅衬底(1)的正面上；一轻掺杂P型非晶硅层(3)，沉积在正面本征非晶硅层(2)的上表面上；一正面透明导电膜层(4)，位于轻掺杂P型非晶硅层(3)的上表面上；一正面银栅极(5)，位于正面透明导电膜层(4)的上表面上；一重掺杂P型非晶硅层，作为选择性发射极，设置于正面透明导电膜层(4)和轻掺杂P型非晶硅层(3)的接触部位，其具有多个重掺杂P型非晶硅单体(6‑1)，并且分别与正面银栅极(5)的栅线一一对应，分别位于相对应的栅线的正下方；一背面本征非晶硅层(7)，沉积在N型晶体硅衬底(1)的背面上；一重掺杂N型非晶硅层(8)，沉积在背面本征非晶硅层(7)的下表面上；一背面透明导电膜层(9)，沉积在重掺杂N型非晶硅层(8)的下表面上；一背面银栅极(10)，位于背面透明导电膜层(9)的下表面上。