[发明专利]一种氮化钽纳米管阵列电极及其制备方法无效
| 申请号： | 201410216132.8 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103981558A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;张鹏;王拓;张冀杰;常晓侠;李盎 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化钽纳米管阵列电极及其制备方法，其组成包括金属钽（Ta）片基底上的氮化钽（Ta3N5）纳米管阵列；制备方法由一次阳极氧化，二次阳极氧化，氮化焙烧处理三步构成。本发明有效抑制了电子-空穴对的复合，提高了材料的光解水效率；显著改善了纳米管阵列与基底的连接状况，提高了光电化学池光解水制氢活性。本发明的制备方法操作过程简单，可控性强，光电催化性能稳定，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化钽纳米管阵列电极，包括基底上的氮化钽纳米管阵列，其特征在于，所述基底为金属钽片；所述氮化钽纳米管阵列中纳米管的内径为20‑90nm，长度为100‑900nm，壁厚为10‑45nm；所述氮化钽纳米管阵列与所述基底紧密连接，两者连接处的模拟电阻值为7.4‑25.8Ω。
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