[发明专利]制造具有厚度降低的p-掺杂CdTe层的太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及制造具有厚度降低的p‑掺杂CdTe层的太阳能电池的方法。特别地，本发明提出制造如下的薄膜CdTe太阳能电池的方法，该薄膜CdTe太阳能电池具有层厚度降低的没有针孔且均匀掺杂的CdTe层。根据本发明的方法是防止所述太阳能电池分流、改进所述太阳能电池的可靠性和长期稳定性并提供所述CdTe层的均匀掺杂的有效方法。这通过在具有大晶粒的第一CdTe层和具有小晶粒的第二CdTe层之间施用牺牲性掺杂层来实现，所述第一CdTe层和所述第二CdTe层一起形成所述太阳能电池的CdTe层。另外，如果所述牺牲性掺杂层包含卤素，则可以省去CdCl

主权项

1.一种制造太阳能电池的方法，其包括以下步骤：/na)在基极层上施用具有大晶粒的第一CdTe层，/nb)在所述第一CdTe层上施用包含掺杂元素的牺牲性掺杂层，和/nc)在所述牺牲性掺杂层上施用具有小晶粒的第二CdTe层；/n其中所述牺牲性掺杂层在步骤c)和/或步骤c)之后的其他步骤中溶解及分解。/n