[发明专利]一种准单晶硅锭生长方法有效
| 申请号： | 201410214862.4 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103966660B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人： | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙)31290 | 代理人： | 金碎平 |
| 地址： | 214222 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准单晶硅锭生长方法，包括如下步骤：a)在石英坩埚内将多晶硅料加热熔化形成硅熔液；b)对籽晶预热后，将籽晶由上向下移动浸入硅熔液内；c)控制籽晶的旋转速度并缓慢提升籽晶，从籽晶和硅熔液的接触面向下及四周生长形成准单晶锭；d）当准单晶锭的生长比重达到预设阈值时，结束晶体生长，降温至退火温度，冷却出炉。本发明提供的准单晶硅锭生长方法，将籽晶由上向下浸入硅熔液内，通过控制籽晶的旋转和向上提升，使得准单晶锭在生长时与石英坩埚壁之间存在液态硅，有效避免准单晶硅锭与坩埚壁直接接触，从而具有单晶率高，位错率低的优点；且无坩埚接触污染，无需去除边皮层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种准单晶硅锭生长方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在石英坩埚内将多晶硅料加热熔化形成硅熔液；b)对籽晶预热后，将籽晶由上向下移动浸入硅熔液内；c)控制籽晶的旋转速度并缓慢提升籽晶，从籽晶和硅熔液的接触面向下及四周生长形成准单晶锭；所述籽晶的旋转速度范围为0.5～2转/分，所述籽晶的提升高度为1～5cm，且生长形成的准单晶锭顶部的高度不高于石英坩埚侧壁的高度；d)当准单晶锭的生长比重达到预设阈值时，结束晶体生长，降温至退火温度，冷却出炉。
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