[发明专利]像素结构与其制造方法

摘要

一种像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极介电层覆盖栅极。硅通道层置于栅极介电层上，且置于栅极上方。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。漏极辅助欧姆接触层置于漏极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。

主权项

一种像素结构，置于一基板上，该像素结构包含：一栅极，置于该基板上；一栅极介电层，覆盖该栅极与该基板；一硅通道层，置于该栅极介电层上，且置于该栅极上方；一源极硅欧姆接触层与一漏极硅欧姆接触层，分开设置于该硅通道层上；一源极辅助欧姆接触层与一漏极辅助欧姆接触层，分别置于该源极硅欧姆接触层与该漏极硅欧姆接触层上；一透明导电部，置于该源极辅助欧姆接触层上；一透明像素电极，至少部分该透明像素电极置于该漏极辅助欧姆接触层上；一源极，置于该透明导电部上；以及一漏极，置于该透明像素电极上，并置于该漏极辅助欧姆接触层上方。