[发明专利]埋入式字线及其隔离结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410196593.3 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN105097641B 公开(公告)日: 2017-11-07
发明(设计)人: 朴哲秀;欧阳自明 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/768
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 王芝艳,邹宗亮
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种埋入式字线及其隔离结构的制造方法,包括先在基板内形成多个埋入式字线,且埋入式字线的顶部低于基板表面。之后,在埋入式字线上的沟槽内分别形成掩模结构层,并通过移除部分结构,使掩模结构层凸出,以便于掩模结构层的侧壁形成间隔件,进而形成多个自行对准的沟槽。然后,以间隔件与掩模结构层为蚀刻掩模,蚀刻去除沟槽底下的基板,以形成多个隔离结构沟槽,再在隔离结构沟槽内形成隔离结构。本发明的制造方法能有效降低字线之间的干扰(Row Hammer),并保持有源区内的接触区域的面积。
搜索关键词: 埋入 式字线 及其 隔离 结构 制造 方法
【主权项】:
一种埋入式字线及其隔离结构的制造方法,其特征在于所述方法包括:在一基板的表面上形成由一第一氮化层、氧化层与一第二氮化层所构成的多层结构;图案化该多层结构,以形成暴露该基板的该表面的多个第一沟槽;以该多层结构为蚀刻掩模,蚀刻去除暴露出的该基板,以形成多个埋入式字线沟槽;在所述多个埋入式字线沟槽内分别形成埋入式字线,且该埋入式字线的顶部低于该基板的该表面;在该埋入式字线上的所述多个第一沟槽内分别形成掩模结构层;分别移除该多层结构内的该第二氮化层与该氧化层,以使所述掩模结构层凸出于该第一氮化层;在所述掩模结构层的侧壁形成间隔件,以形成自行对准的第二沟槽;以所述间隔件与所述掩模结构层为蚀刻掩模,蚀刻去除所述第二沟槽底下的基板,以形成隔离结构沟槽;以及在所述隔离结构沟槽内形成隔离结构。
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