[发明专利]等离子反应设备及其温度监控方法有效
| 申请号： | 201410184127.3 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105088353B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 胡宁 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子反应设备及其温度监控方法，其等离子反应设备包括反应室、位于反应室顶部的耦合窗、位于反应室底部的用于放置晶片的基座和多个测温装置，多个测温装置放置在耦合窗上，多个温度测量装置用于测试耦合窗的不同位置处的温度。其等离子反应设备的温度监控方法应用于上述等离子反应设备。本发明的等离子反应设备及其温度监控方法，将多个测温装置放置到耦合窗上，测量耦合窗的温度，实现对耦合窗温度的整体监控。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子反应设备 温度监控 测温装置 耦合窗 耦合 反应室 温度测量装置 反应室顶部 测量耦合 放置晶片 整体监控 位置处 测试 | ||
【主权项】：
1.一种等离子反应设备，包括反应室、位于所述反应室顶部的耦合窗和位于所述反应室底部的用于放置晶片的基座，其特征在于：还包括三个测温装置；多个所述测温装置放置在所述耦合窗上；多个所述温度测量装置用于测试所述耦合窗的不同位置处的温度；每个所述测温装置在所述耦合窗的表面上的垂直投影到所述耦合窗的表面的中心的距离各不相等；任意一个所述测温装置在所述耦合窗的表面上的垂直投影和所述耦合窗的中心的连线与另外两个所述测温装置在所述耦合窗的表面上的垂直投影和所述耦合窗的中心的连线之间的夹角为120°；所述三个测温装置在所述耦合窗的表面上的垂直投影到所述耦合窗的表面的中心的距离分别等于所述晶片直径的四分之一、所述晶片直径的二分之一和所述晶片直径的四分之三。
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