[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201410178755.0 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103956199A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吕明昌;宋秋明;杨春雷;顾光一;马续航;冯叶;肖旭东 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和磁控溅射装置，透明导电薄膜的制备方法包括如下步骤：预备磁控溅射设备、靶材和衬底；所述靶材是掺杂有ZnF2的ZnO陶瓷靶材，ZnF2的质量占所述靶材的总质量的0.1％～1％；为衬底建立相对于靶材的、大小为60V～300V的负电势；以及通入工艺气体，开启磁控溅射，在衬底上沉积透明导电薄膜。这种透明导电薄膜的制备方法，在透明导电薄膜的沉积过程中，通过在衬底的背面设置相对于大地具有60V～300V的负电势的背电极，形成稳定的逆向电场，阻止高能O-离子对已沉积薄膜的轰击。相对于传统透明导电薄膜的制备方法，这种透明导电薄膜的制备方法，可以制备得到质量较好的透明导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜是氢氟共掺杂的氧化锌基晶体，其中ZnF2的质量占所述透明导电薄膜的总质量的0.1％～1％。
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