[发明专利]光解水制氢的催化电极及其制备方法无效
申请号: | 201410177232.4 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN103981535A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 戴海涛;张晓利;孙小卫;王树国 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C25B11/02 | 分类号: | C25B11/02;C25B11/08;C25B1/04 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及光解水制氢的催化电极及其制备方法。催化电极是宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体三层结构复合光电极。在透明导电电极上生长宽禁带半导体纳米线;在生长的宽禁带半导体纳米线表面,负载贵金属,形成宽禁带半导体/贵金属纳米粒子结构;在宽禁带半导体/贵金属纳米粒子结构上,覆盖CdS涂层,形成宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体三组分复合催化电极。本发明的宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体。宽禁带半导体纳米结构主要是为了提高表面积界面接触,随后贵金属纳米粒子的引入,不仅可以提高光能利用效率,提升了产氢量,而且大大增强了电极的耐腐蚀性能。 | ||
搜索关键词: | 光解 水制氢 催化 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种光解水制氢的催化电极,其特征是三层结构复合光电极,结构为:宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体。
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