[发明专利]打开多晶硅栅极的方法

摘要

本发明公开了一种打开多晶硅栅极的方法，属于半导体技术领域。该方法包括对硅片表面的金属前介质膜进行处理，使硅片上的金属前介质膜平坦化；根据设定的刻蚀工艺参数，对平坦化处理后的所述金属前介质膜与所述硅片中的多晶硅栅极之间的多层介质膜进行选择性刻蚀，以打开所述硅片中的所述多晶硅栅极。选择性刻蚀工艺可以有效地控制刻蚀量，在实现多晶硅栅极被充分打开的同时保证一定的表面平整度，并不影响后续的薄膜沉积工艺，因此，解决了现有技术中单纯使用化学机械研磨抛光工艺打开栅极导致的晶片表面缺陷、切应力对栅极栈堆的负面影响，避免了多晶硅栅极的变形，提高了产品的良率。

主权项

一种打开多晶硅栅极的方法，其特征在于，包括：对硅片表面的金属前介质膜进行化学机械抛光处理，使硅片上的金属前介质膜平坦化，并使平坦化后的所述金属前介质膜预留设定的厚度，向后续选择性刻蚀提供工艺窗口；根据设定的刻蚀工艺参数，对平坦化处理后的所述金属前介质膜与所述硅片中的多晶硅栅极之间的多层介质膜进行选择性刻蚀，以打开所述硅片中的所述多晶硅栅极；其中，所述对平坦化处理后的所述金属前介质膜与所述硅片中的多晶硅栅极之间的多层介质膜进行选择性刻蚀包括：根据设定的刻蚀工艺参数，对平坦化处理后的所述金属前介质膜进行刻蚀，以停留在与所述金属前介质膜相邻的一层介质膜上。