[发明专利]用于半导体模块的直接冷却衬底和相应的制造方法有效
| 申请号： | 201410149095.3 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104134636B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | A·尤勒曼;A·赫布兰特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体模块包括具有金属处理的第一侧以及与该金属处理的第一侧相对的金属处理的第二侧的衬底。半导体裸片被附接附接至该衬底的金属处理的第一侧。多个冷却结构被焊接到该衬底的金属处理的第二侧。每个冷却结构包括以远离衬底延伸的而被设置在堆叠布置进行部署的多个不同焊道。该衬底可以是导电或绝缘的。还提供了制造这样的半导体模块以及具有这样的焊接冷却结构的衬底的相对应方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 金属处理 半导体模块 冷却结构 附接 半导体裸片 堆叠布置 焊接冷却 直接冷却 导电 焊道 绝缘 制造 延伸 部署 | ||
【主权项】：
一种半导体模块支撑构件，包括：衬底，具有金属处理侧；以及多个冷却结构，被电弧焊接至所述衬底的所述金属处理侧，所述冷却结构中的每个冷却结构包括远离所述衬底延伸而被设置在堆叠布置中的多个不同焊道；其中所述衬底包括绝缘材料，所述绝缘材料具有第一金属处理侧以及与所述第一金属处理侧相对的第二金属处理侧，并且其中所述冷却结构被焊接到所述绝缘材料的金属处理侧之一。
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