[发明专利]一种多晶铸锭用异构涂层坩埚及其制备方法无效
| 申请号： | 201410143417.3 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103966664A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 颜颉颃;王建立;张华利;崔鹏;高源;张欣 | 申请（专利权）人： | 晶海洋半导体材料（东海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波;侯莉 |
| 地址： | 222300 江苏省连云港市东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶铸锭用异构涂层坩埚及其制备方法，包括裸埚，在所述裸埚内底面依次涂覆有第一氮化硅涂层和形核涂层，所述形核涂层是由形核物以若干不连续的岛状体分布在第一氮化硅涂层上所构成，在所述裸埚的内壁上还涂覆有第二氮化硅涂层。本发明形核涂层是由形核物以若干岛状体形状分布在第一氮化硅涂层上所构成，岛状体和形核物能够引导晶体形核，与现有硅料自发随即形核生长相比，本发明能够形成均匀、大小适中的晶核，有利于晶体的后期生长质量，从而提升硅片转化效率，而且，形核涂层牢牢固定在坩埚上，使用后不易脱落，同时岛体状异型结构，有利于铸锭后坩埚的脱模，能够大大降低粘锅甚至裂锭的概率，使得后续硅锭尾料处理更加容易。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 用异构 涂层 坩埚 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶铸锭用异构涂层坩埚，包括裸埚，其特征在于：在所述裸埚内底面依次涂覆有第一氮化硅涂层和形核涂层，所述形核涂层是由形核物以若干不连续的岛状体分布在第一氮化硅涂层上所构成，在所述裸埚的内壁上还涂覆有第二氮化硅涂层。
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