[发明专利]一种高性能晶体硅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种高性能晶体硅电池的制备方法，该制备方法是将常规晶体硅电池的正电极由n条单一宽度的正电极变更为n′条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极，每条正电极均起始于窄正电极并终止于窄正电极，其中起始端以及终止端窄正电极的宽度为0.08~0.3mm，中间窄正电极的宽度为起始端或终止端窄正电极的1/2，宽正电极的宽度W′为0.5~2.0mm，常规晶体硅电池的单一宽度的正电极的宽度W为1.5~4.0mm，所述n≤n′≤2W/W′。本发明能减少正电极金属所占面积，降低对金属银的消耗量，并且解决了目前市场上晶体硅电池的串联电阻大，转化效率低的技术问题。

主权项

一种高性能晶体硅电池的制备方法，其特征是：将常规晶体硅电池的正电极由n条单一宽度的正电极变更为n′条由窄正电极和宽正电极交替连接而成的正电极，每条正电极均起始于窄正电极并终止于窄正电极，其中起始端以及终止端窄正电极的宽度为0.08~0.3mm，中间窄正电极的宽度为起始端或终止端窄正电极的1/2，宽正电极的宽度W′为0.5~2.0mm，常规晶体硅电池的单一宽度的正电极的宽度W为1.5~4.0mm，所述n≤n′≤2W/ W′。