[发明专利]一种加速DRAM灵敏放大器的方法有效
| 申请号： | 201410127117.6 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103971728B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大;段会福;俞冰 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司61217 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种加速DRAM灵敏放大器的方法，包括以下步骤第一NMOS管的栅极信号sant升高打开第一NMOS管，第一NMOS管的漏极信号ncs被拉低到地电压，参考位线bl_n开始被往地电压拉；然后，第二NMOS管的栅极信号sap1t升高使第二NMOS管导通，使第二NMOS管的源极信号pcs被拉高至高电压vod，位线bl电压被快速拉高至高于电压vblh，然后第二NMOS管的栅极信号sap1t变为低电平；然后，第三NMOS管的栅极信号sap2t升高使第三NMOS管导通，第三NMOS管的源极信号pcs被拉至电压vblh，位线bl慢慢降低至vblh电压。本发明一种加速DRAM灵敏放大器的方法，通过一个NMOS管引入大于DRAM灵敏放大器驱动电压的高电压vod，加速DRAM灵敏放大器的放大速度，同时位线电压最终还是维持在vblh电压，所以也保证了DRAM存储单元的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加速 dram 灵敏 放大器 方法 | ||
【主权项】：
一种加速DRAM灵敏放大器的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一NMOS管(NMOS1)的栅极信号sant升高打开第一NMOS管(NMOS1)，第一NMOS管(NMOS1)的漏极信号ncs被拉低到地电压，参考位线bl_n开始被往地电压拉；然后，第二NMOS管(NMOS3)的栅极信号sap1t升高使第二NMOS管(NMOS3)导通，使第二NMOS管(NMOS3)的源极信号pcs被拉高至高电压vod，位线bl电压被快速拉高至高于电压vblh，然后第二NMOS管(NMOS3)的栅极信号sap1t变为低电平；然后，第三NMOS管(NMOS2)的栅极信号sap2t升高使第三NMOS管(NMOS2)导通，第三NMOS管(NMOS2)的源极信号pcs被拉至电压vblh，位线bl慢慢降低至vblh电压。
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