[发明专利]改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法有效
| 申请号： | 201410120004.3 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103944065B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;尧舜;贾冠男;潘飞;高祥宇;李峙 | 申请（专利权）人： | 江苏华芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法，主要步骤包括：选取bar条具有数个不同条宽的半导体激光阵列器件；将各发光单元条宽按一定方式依次排列光刻；在所述排列中各相邻阵列器件之间，选取不同的间距；根据特定要求，将所述半导体激光阵列器件的条宽和间距按照一定的尺寸光刻，使bar慢轴方向光场按所述特定要求分布。本发明方法直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅可以使半导体激光bar获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，而且还避免了其结构的复杂化，使其得到更加广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 半导体激光器 bar 方向 分布 方法 | ||
【主权项】：
改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法，主要步骤包括：选取bar条具有数个不同条宽的半导体激光阵列器件；将各发光单元条宽按从左至右依次排列光刻；在所述排列中各相邻阵列器件之间，选取不同的间距；根据特定要求，所述特定要求为通过改变各阵列器件的条宽和间距，获得bar慢轴方向光场分布为平顶化的光场分布的要求，将所述半导体激光阵列器件的条宽和间距按照特定要求所选择的条宽和间距尺寸光刻，使bar慢轴方向光场按所述特定要求分布。
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