[发明专利]形成膜层图案的方法有效
申请号: | 201410116809.0 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103887217B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 李一帆 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种形成膜层图案的方法至少包括下列步骤。(1)利用第一对位记号与第二对位记号量测出第一膜层图案与第二膜层图案之间的第一偏移值D1。(2)利用第一偏移值D1计算出第一虚拟原点值O1。(3)利用第二对位记号与第一罩幕对位记号量测出第二膜层图案与第一罩幕图案之间的第二偏移值D2。(4)利用第一虚拟原点值O1与第二偏移值D2计算出第一罩幕图案与第一虚拟原点之间的第三偏移值D3。(5)判断第三偏移值D3是否在规格值的范围内。 | ||
搜索关键词: | 形成 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种形成膜层图案的方法,具有一第一对位记号的一第一膜层图案、具有一第二对位记号的一第二膜层图案、一第三膜层以及用以图案化该第三膜层且具有一第一罩幕对位记号的一第一罩幕图案依序堆栈在一基板上,该形成膜层图案的方法包括下列步骤:(1)利用该第一对位记号与该第二对位记号量测出该第一膜层图案与该第二膜层图案之间的一第一偏移值D1;(2)利用该第一偏移值D1计算出一第一虚拟原点值O1;(3)利用该第二对位记号与该第一罩幕对位记号量测出该第二膜层图案与用以图案化该第三膜层的该第一罩幕图案之间的一第二偏移值D2;(4)利用该第一虚拟原点值O1与该第二偏移值D2计算出该第一罩幕图案与一第一虚拟原点之间的一第三偏移值D3;(5)判断该第三偏移值D3是否在一规格值的范围内,若该第三偏移值D3在该规格值的范围内则进行步骤(6),若该第三偏移值D3不在该规格值的范围内则进行步骤(7)‑(9);(6)利用该第一罩幕图案图案化该第三膜层,以形成具有一第三对位记号的一第三膜层图案;(7)去除该第一罩幕图案;(8)利用该第三偏移值D3做为一第一补正值,以重新形成用以图案化该第三膜层的该第一罩幕图案;以及(9)重复步骤(3)‑(5)、(7)‑(8)中的至少步骤(3)‑(5),直到判断该第三偏移值D3在该规格值的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造