[发明专利]LDO电路有效
| 申请号： | 201410098539.5 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103838290A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 徐光磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种LDO电路，所述LDO电路包括：差分放大器、功率输出PMOS晶体管、电流镜单元、第一电阻和第二电阻；其中，所述第一电阻和第二电阻串联于所述功率输出PMOS晶体管的漏极与地之间，所述差分放大器的正向输入端连接于所述第一电阻和第二电阻之间，所述电流镜单元和所述功率输出PMOS晶体管的栅极均与所述差分放大器的输出端连接，所述功率输出PMOS晶体管的漏极与所述第一电阻连接，所述功率输出PMOS晶体管的漏极与所述第一电阻之间形成第二节点，所述第二节点与所述LDO电路的输出端连接。在本发明提供的LDO电路中，通过增加电流镜单元使得所述LDO电路在负载电流变化时零点能够与第二极点同向移动，由此保证所述LDO电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | ldo 电路 | ||
【主权项】：
一种LDO电路，其特征在于，包括：差分放大器、功率输出PMOS晶体管、电流镜单元、第一电阻和第二电阻；其中，所述第一电阻和第二电阻串联于所述功率输出PMOS晶体管的漏极与地之间，所述差分放大器的正向输入端连接于所述第一电阻和第二电阻之间，所述电流镜单元和所述功率输出PMOS晶体管的栅极均与所述差分放大器的输出端连接，所述功率输出PMOS晶体管的漏极与所述第一电阻连接，所述功率输出PMOS晶体管的漏极与所述第一电阻之间形成第二节点，所述第二节点与所述LDO电路的输出端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410098539.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无负压密封型电子式稳压控制加压机
- 下一篇：机罩的改进结构
