[发明专利]一种半浮栅存储器结构有效
| 申请号： | 201410093030.1 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104916640B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 康劲;卜伟海;王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半浮栅存储器结构，包括MOSFET、嵌入式TFET和控制栅极；所述控制栅极和所述嵌入式TFET相连接；所述MOSFET包括半浮栅、源极和漏极，所述嵌入式TFET包括第一二极管和第二二极管；所述半浮栅和所述第一二极管的输入端相连接，所述半浮栅和所述第二二极管的输入端相连接；所述源极和所述第一二极管的输出端相连接，所述漏极和所述第二二极管的输出端相连接。根据本发明制备的半浮栅存储器结构，将提高存储器的读写速度，半浮栅存储器的结构简单，而且有助于在MOSFET晶体管和隧道场效应晶体管(TFET)中实现半浮栅存储器的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半浮栅 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半浮栅存储器结构，包括：MOSFET、嵌入式TFET和控制栅极；所述控制栅极和所述嵌入式TFET相连接；所述MOSFET包括半浮栅、源极和漏极，所述嵌入式TFET包括第一二极管和第二二极管；所述半浮栅和所述第一二极管的输入端相连接，所述半浮栅和所述第二二极管的输入端相连接；所述源极和所述第一二极管的输出端相连接，所述漏极和所述第二二极管的输出端相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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