[发明专利]一种半浮栅存储器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半浮栅存储器结构及其制作方法，位于半导体衬底上的栅极介质层；位于所述栅极介质层中的浮栅接触区；位于所述栅极介质层上的半浮栅，所述半浮栅包括第一半浮栅和第二半浮栅；位于所述半浮栅表面以及侧面的隔离介质层；位于所述第二半浮栅上的控制栅极；位于所述控制栅极两侧的第一侧墙；位于未覆盖有所述控制栅极的所述隔离介质层两侧的第二侧墙；其中，所述第二半浮栅完全覆盖所述浮栅接触区，所述控制栅极包裹所述第二半浮栅。根据本发明制备的半浮栅存储器结构以及实现方法，将提高存储器的读写速度，半浮栅存储器的结构简单，而且有助于在MOSFET晶体管中实现半浮栅存储器的功能。

主权项

1.一种半浮栅存储器结构，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的栅极介质层；位于所述栅极介质层中的浮栅接触区；位于所述栅极介质层上的半浮栅，所述半浮栅包括第一半浮栅和第二半浮栅，所述第一半浮栅的宽度大于所述第二半浮栅的宽度；位于所述半浮栅表面以及侧面的隔离介质层；位于所述第二半浮栅上的控制栅极，所述控制栅极覆盖位于所述第二半浮栅上的所述隔离介质层；位于所述控制栅极两侧的第一侧墙；位于未覆盖有所述控制栅极的所述隔离介质层两侧的第二侧墙；其中，所述第二半浮栅完全覆盖所述浮栅接触区，所述控制栅极包裹所述第二半浮栅，所述半浮栅的宽度指沿所述第一侧墙或第二侧墙延伸方向的剖面方向的长度，所述半浮栅存储器结构有助于在MOSFET晶体管中实现半浮栅存储器的功能。