[发明专利]含有延伸环绕一或更多通道区之栅极电极的晶体管

摘要

本发明涉及含有延伸环绕一或更多通道区之栅极电极的晶体管，公开一种包含基板及晶体管的半导体结构。该晶体管包含设于该基板上面之一加高源极区及一加高漏极区，一或更多长形半导体线，一栅极电极，以及一栅极绝缘层。该一或更多长形半导体线连接于该加高源极区与该加高漏极区之间，其中该一或更多长形半导体线中之每一者的纵向系实质沿着垂直于该基板之厚度方向的水平方向延伸。该等长形半导体线各自包含一通道区。该栅极电极延伸环绕该一或更多长形半导体线的每个通道区。该栅极绝缘层设于该一或更多长形半导体线中之每一者与该栅极电极之间。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包含：形成一或更多长形半导体线于一层电绝缘材料上，该层电绝缘材料设于一基板上方，该基板所包含的材料与该层电绝缘材料不同，其中该一或更多长形半导体线中的每一者的纵向实质沿着垂直于该基板的厚度方向的水平方向延伸；移除该层电绝缘材料在该一或更多长形半导体线中的每一者的中央部分下面的部分，其中，该基板的至少一部分被暴露；形成一栅极绝缘层于该一或更多长形半导体线中的每一者的该中央部分以及该基板的被暴露的该至少一部分上；形成延伸环绕该一或更多长形半导体线中的每一者的该中央部分的一栅极电极，该栅极绝缘层提供该长形半导体线与该栅极电极之间以及该栅极电极与该基板之间的电绝缘，其中移除该层电绝缘材料在该一或更多长形半导体线中的每一者的该中央部分下面的该部分包括：在该一或更多长形半导体线中的每一者的第一端部上方形成第一特征；在该一或更多长形半导体线中的每一者的第二端部上方形成第二特征，其中该一或更多长形半导体线中的每一者的该中央部分以及该层电绝缘材料的一部分在该第一及该第二特征之间露出；以及进行一蚀刻制程，其适合相对于该一或更多长形半导体线的材料以及在该第一及该第二特征的表面露出的一或更多材料选择性地移除该层电绝缘材料的材料，其中该第一特征包含一加高源极区，一侧壁间隔体形成于该一或更多长形半导体线中的每一者的该第一端部上面的第一部分，以及一层介电材料形成于该加高源极区上面的第一部分；以及其中该第二特征包含一加高漏极区，一侧壁间隔体形成于该一或更多长形半导体线中的每一者的该第二端部上面的第二部分，以及一层介电材料形成于该加高漏极区上面的第二部分。