[发明专利]电池充电电路有效
申请号: | 201410084356.8 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN104009518A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 雷燮光;王薇 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H01L27/06 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提出了带有集成的MOSFET和等效增强型JFET的半导体芯片。MOSFET-JFET芯片包括类型-1导电类型的公共半导体衬底区。MOSFET器件和等效增强型JFET器件位于公共半导体衬底区上方。等效二极管增强型JFET器件具有公共半导体衬底区,作为等效二极管增强型JFET漏极。至少两个类型-2导电类型的等效二极管增强型JFET栅极区位于等效二极管增强型JFET漏极上方,并且在水平方向上相互分离,带有等效二极管增强型JFET栅极间距。至少一个类型-1导电类型的等效二极管增强型JFET源极位于公共半导体衬底区上方,以及等效二极管增强型JFET栅极之间。顶部等效二极管增强型JFET电极位于等效二极管增强型JFET栅极区和等效二极管增强型JFET源极区上方,并与它们相接触。如果配置得合适,等效二极管增强型JFET会同时具有大幅低于PN结二极管的正向电压Vf,以及可以与PN结二极管相比拟的反向漏电流。 | ||
搜索关键词: | 电池 充电 电路 | ||
【主权项】:
一种电池充电电路,其特征在于,包括:一个电池,具有一个第一电池端和一个第二电池端;一个电池充电源极,具有一个第一充电端和一个第二充电端,第一充电端连接到第一电池端上;一个串联MOSFET和增强型JFET,将第二充电端桥接至第二电池端,其中配置增强型JFET,使它的JFET源极短接至它的JFET栅极,从而作为一个反向闭锁二极管,具有比PN结二极管更低的正向电压降。
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