[发明专利]EEPROM存储单元的操作方法有效
| 申请号： | 201410084269.2 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811055B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种EEPROM存储单元的操作方法。所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；所述EEPROM存储单元的操作方法包括对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接。本发明提供的EEPROM存储单元的操作方法，提高了所述EEPROM存储单元的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 存储 单元 操作方法 | ||
【主权项】：
一种EEPROM存储单元的操作方法，所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；其特征在于，所述EEPROM存储单元的操作方法包括：对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接，所述第三读取电压为EEPROM的电源电压。
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